濺射是物理氣相沉積技術(shù)的另一種方式，濺射的過程是由離子轟擊靶材表面，使靶材材料被轟擊出來的技術(shù)。惰性氣體，如氬氣，被充入真空腔內(nèi)，通過使用高電壓，產(chǎn)生輝光放電，加速離子到靶材表面，氬離子將靶材材料從表面轟擊（濺射）出來，在靶材前的工件上沉積下來，通常還需要用到其它氣體，如氮?dú)夂鸵胰玻捅粸R射出來的靶材材料發(fā)生反應(yīng)，形成化合物薄膜。濺射技術(shù)可以制備多種涂層，在裝飾涂層上具有很多優(yōu)點(diǎn)（如Ti、Cr、Zr和碳氮化物），因?yàn)槠渲苽涞耐繉臃浅９饣?，這個(gè)優(yōu)點(diǎn)使濺射技術(shù)也廣泛應(yīng)用于汽車市場的摩擦學(xué)領(lǐng)域（例如，CrN、Cr2N及多種類金剛石（DLC）涂層）。高能量離子轟擊靶材，提取原子并將它們轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，利用磁控濺射技術(shù)，可以對大量材料進(jìn)行濺射。
濺射技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：
+ 靶材采用水冷，減少熱輻射
+ 不需要分解的情況下，幾乎任何金屬材料都可以作為靶材濺射
+ 絕緣材料也可以通過使用射頻或中頻電源濺射
+ 制備氧化物成為可能（反應(yīng)濺射）
+ 良好的涂層均勻性
+ 涂層非常光滑（沒有液滴）
+ 陰極（最大2m長）可以放置在任何位置，提高了設(shè)備設(shè)計(jì)的靈活性
濺射技術(shù)的缺點(diǎn)：
- 與電弧技術(shù)比較，較低的沉積速率
- 與電弧相比，等離子體密度較低（~5%），涂層結(jié)合力和涂層致密度較低
濺射技術(shù)有多種形式，這里我們將解釋其中的一些，這些濺射技術(shù)都能在匯成真空生產(chǎn)的真空鍍膜設(shè)備上實(shí)現(xiàn)。
+ 磁控濺射 使用磁場保持靶材前面等離子體，強(qiáng)化離子的轟擊，提高等離子體密度。
+ UBM 濺射是非平衡磁控濺射的縮寫。使用增強(qiáng)的磁場線圈加強(qiáng)工件附近的等離子密度?？梢缘玫礁又旅艿耐繉?。在UBM過程中使用了更高的能量，所以溫度也會(huì)相應(yīng)升高。
+ 閉合場濺射 運(yùn)用磁場分布限制等離子體于閉合場內(nèi)。降低靶材材料對真空腔室的損失并使等離子體更加靠近工件?？梢缘玫街旅芡繉樱⑶沂拐婵涨皇冶３窒鄬η鍧?。
+ 孿生靶濺射（DMS）是用來沉積絕緣體涂層的技術(shù)。交流電（AC）作用在兩個(gè)陰極上，而不是在陰極和真空腔室之間采用直流（DC）。這樣使靶材具有自我清理功能。孿生靶磁控濺射用來高速沉積如氧化物涂層。
+ HIPIMS+ （高功率脈沖磁控濺射）采用高脈沖電源提高濺射材料的離化率。運(yùn)用HIPIMS+ 制備的涂層兼具了電弧技術(shù)和濺射技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。HIPIMS+ 形成致密涂層，具有良好涂層結(jié)合力，同時(shí)也是原子級的光滑和無缺陷的涂層。
