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HiPIMS

大功率脈沖

磁控濺射

HiPIMS HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING
真空應(yīng)用解決方案提供商
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High power impulse magnetron sputtering coating system HiPIMS濺射涂層系統(tǒng)

      HiPIMS-800結(jié)合了經(jīng)典直流濺射鍍膜系統(tǒng)的所有優(yōu)點(diǎn)和最新的HiPIMS技術(shù)的能力。該系統(tǒng)共配備六個(gè)濺射陰極,其中四個(gè)可以在HIPIMS或DC模式下工作。另外兩個(gè)直流陰極可以操作,例如,提供更復(fù)雜的多層涂層,提供顏色和頂層涂層,或只是增加沉積速率。這些技術(shù)在一個(gè)過程中的絕對(duì)自由組合,以非常低的生產(chǎn)成本提供了有限的涂層設(shè)計(jì)范圍。在純HiPIMS模式下,沉積速率為2μm/h,處理時(shí)間為4-5小時(shí)。當(dāng)所有6個(gè)陰極同時(shí)工作時(shí),可達(dá)到3μm/h。這是迄今為止1.800圓柄工具或5.000可轉(zhuǎn)位刀片涂層容量的難以置信的低生產(chǎn)時(shí)間。

      HiPIMS-800能夠沉積所有可用的HCVAC濺射涂層和市場上幾乎所有的PVD涂層。此外,它是開發(fā)定制流程的理想機(jī)器。客戶友好用戶界面“數(shù)據(jù)視圖”和集成規(guī)劃工具“數(shù)據(jù)計(jì)劃”有助于設(shè)計(jì)單獨(dú)的涂層解決方案。您的涂層將使您的產(chǎn)品在市場上脫穎而出,讓用戶獲得競爭優(yōu)勢(shì)。其他功能,如用戶友好的平板電腦和手機(jī)遠(yuǎn)程控制,便于維護(hù)的組件,全自動(dòng)陰極百葉窗,自動(dòng)關(guān)門和快速更換涂層臺(tái)的裝置使HiPIMS-800成為生產(chǎn)和開發(fā)最先進(jìn)的高性能涂層的最佳涂層系統(tǒng)。


主要模塊
Arc HiPIMS
創(chuàng)新的APA蒸發(fā)器技術(shù)(先進(jìn)的等離子輔助)基于陰極真空電弧,為新的層結(jié)構(gòu)提供了多種開發(fā)可能性。
優(yōu)勢(shì):
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉積率高
●磁場可調(diào)節(jié)
●靶材更換時(shí)間短
●等離子體密度高
●完美的涂層結(jié)合力
HiPIMS代表高功率脈沖磁控濺射。
優(yōu)勢(shì):
●離化率高(類似于電弧法)
●高功率密度,從 100 到1000 W/cm2
●等離子密度非常高
●可以通過等離子參數(shù)設(shè)置來調(diào)節(jié)層結(jié)構(gòu)
●涂層非常光滑
●完美的涂層結(jié)合力
●在低基材溫度下沉積致密的涂層
其他模塊
濺射 氮化
在濺射工藝中,通過高能離子(Ar)轟擊靶材,分離成原子進(jìn)而轉(zhuǎn)化成氣相。通過結(jié)合濺射材料和其他氣體,將涂層沉積在基材上。
優(yōu)勢(shì):
●可以濺射多種材料
●多種工藝變量可用
●光滑的涂層
●結(jié)合功率刻蝕工藝AEGD獲得好的涂層結(jié)合力
使用氮化模塊,可在同一個(gè)系統(tǒng)、同一個(gè)批次,在PVD和/或PACVD涂層工藝之前進(jìn)行等離子氮化工藝。由此生成一個(gè)硬化層,為后續(xù)的PVD/PACVD涂層提供完美的支撐。
優(yōu)勢(shì):
●優(yōu)化工具和零部件屬性
●替代昂貴的基材
●顯著延長壽命
●可以應(yīng)用所有PVD涂層
DLC ta-C
DLC就是類金剛石涂層,指一系列具有超低摩擦系數(shù)的非晶碳涂層。使用DLC模塊,可以通過使用PVD和/或PACVD工藝來生成不同的DLC涂層。標(biāo)準(zhǔn)DLC涂層包括不含金屬或含金屬的碳基涂層。
優(yōu)勢(shì):
●完美的涂層結(jié)合力
●高耐磨性
●低摩擦系數(shù)
●光滑的涂層
ta-C 就是不含氫的四面體非晶碳,指的是一組極硬、低摩擦的非晶碳涂層。使用ta-C模塊可以生產(chǎn)不同的ta-C涂層。
優(yōu)勢(shì):
●適用于比DLC更高的溫度環(huán)境
●非常高的耐磨性
●完美的涂層結(jié)合力
●光滑的涂層

Product Advantage.

產(chǎn)品特點(diǎn)
HiPIMS-800大功率脈沖磁控濺射涂層系統(tǒng)包括以下關(guān)鍵功能:
  • 最高效率

    沉積速率高達(dá)2μm/小時(shí)

  • 一致性

    整個(gè)腔室中均勻的鍍膜沉積速率

  • 最大吞吐量

    純HiPIMS AlTiN的工藝周期為4小時(shí)30分鐘

  • 快速

    轉(zhuǎn)換時(shí)間最短,覆蓋新的涂層材料和其他工具類型/批次

  • 全自動(dòng)

    全自動(dòng),低維護(hù)要求

  • 監(jiān)控

    本地或遠(yuǎn)程監(jiān)控鍍膜過程

型號(hào) HiPIMS-800
鍍膜范圍 ?400mm x 400mm
基板表 ?400mm x?130mm x 6
快速批量更換表 可選的
濺射陰極 6 x 500(包括4個(gè)可選的HiPIMS/DC和另外2個(gè)DC;所有陰極均配有百葉窗)
最大基板尺寸?x h ?400mm x 800mm
鉆孔能力?6 mm x 60 mm 1800個(gè)
插入容量12.7 mm x 3.5 mm 4920個(gè)
最大工件重量 250KG
沉積速率 在純HiPIMS模式下,2微米/小時(shí)。
在DC或combi模式下,最高可達(dá)3微米/小時(shí)。
循環(huán)時(shí)間* 4.5H
過程 HiPIMS和使用助推器技術(shù)的濺射。
所有已確定的氟氯烴涂層都是可能的。
基板預(yù)處理(等離子蝕刻) 增壓器,MF和HiPIMS,蝕刻
導(dǎo)電涂料
非導(dǎo)電涂層
非導(dǎo)電基板
額定功率 80Kw
每批3微米涂層的功耗* 120kWh
外形尺寸 1450mm x 3350mm x 2200mm
重量 約3500Kg
艙門關(guān)閉 自動(dòng)關(guān)閉
*10 mm銑刀純HiPIMS涂層
型號(hào) HCSH-400
有效等離子區(qū)域 D400×H450mm
最高工作溫度 550℃
技術(shù)特點(diǎn) PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預(yù)處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關(guān)門到開門4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設(shè)備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)架 D140×4軸
最大裝載量 200KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會(huì)適當(dāng)減小
在線服務(wù)支持系統(tǒng)

Application cases.

應(yīng)用案例
型號(hào) HCSH-650
有效等離子區(qū)域 D650×H750mm
最高工作溫度 550℃
技術(shù)特點(diǎn) PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預(yù)處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關(guān)門到開門5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設(shè)備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)架 D140×8軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會(huì)適當(dāng)減小
在線服務(wù)支持系統(tǒng)
型號(hào) HCSH-900
有效等離子區(qū)域 D900×H1200mm
最高工作溫度 550℃
技術(shù)特點(diǎn) PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預(yù)處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關(guān)門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設(shè)備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會(huì)適當(dāng)減小
在線服務(wù)支持系統(tǒng)

Application cases.

應(yīng)用案例
型號(hào) HCSH-1800
有效等離子區(qū)域 D900×H1500mm
最高工作溫度 550℃
技術(shù)特點(diǎn) PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預(yù)處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關(guān)門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設(shè)備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會(huì)適當(dāng)減小
在線服務(wù)支持系統(tǒng)

Application cases.

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