CVD diamond growing system CVD人造鉆石培育系統(tǒng)
CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結(jié)晶鉆石，它的化學(xué)成分為碳，運(yùn)用先進(jìn)的設(shè)備模擬大自然中鉆石生長(zhǎng)環(huán)境，通過(guò)化學(xué)氣象沉積技術(shù)（CVD）栽種而成。
該系統(tǒng)采用微波等離子體CVD技術(shù)，使天然氣和氫氣加熱后，在壓力室內(nèi)形成碳等離子體，該等離子體不斷沉積在壓力室底部的碳底層上，逐漸積聚和硬化，形成鉆石薄片。
通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率，降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體。
HCVAC等離子技術(shù)解決了傳統(tǒng)等離子技術(shù)的局限，可以在10mbar到室壓范圍內(nèi)激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，減少因氣流、氣壓、氣體成分、電壓等因素波動(dòng)引起的等離子體狀態(tài)的變化，確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
應(yīng)用范圍
高品質(zhì)單晶金剛石、多晶金剛石的批量生長(zhǎng)（大尺寸寶石級(jí)單晶鉆石、高取向度金剛石晶體、納米結(jié)晶金剛石、碳納米管/類金剛石碳（DLC））。
同時(shí)適用于其它硬質(zhì)材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉積和晶體合成。
多種薄膜的CVD制備、材料表面處理和改性、低溫氧化物的生長(zhǎng)等。
適合光學(xué)、電子、工具級(jí)金剛石膜或單晶、石墨烯等的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，材質(zhì)表面處理、低溫氧化物的生長(zhǎng)等。
