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“物理氣相沉積”(PVD)涵蓋了薄膜技術(shù)領(lǐng)域的特殊工藝。它指代一切在真空基礎(chǔ)下運用物理方式在基片表面沉積薄膜的鍍膜工藝。

濺射工藝作為最為經(jīng)濟的沉積方法，在眾多工藝中被視作標準鍍膜技術(shù)，廣泛應(yīng)用于多種工業(yè)領(lǐng)域。濺射工藝如此流行的主要原因之一，是可以在種類繁多的基材上沉積多種材料。

濺射工藝廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，例如，半導體工業(yè)表面處理、光學工業(yè)偏振濾鏡的生產(chǎn)或建筑玻璃工業(yè)大面積表面鍍膜等。

所有PVD工藝中，用于生長薄膜的材料最初均為固體形式，且常被置于工藝腔室內(nèi)的某處，比如，濺射靶材中。為使材料氣化且隨后能以薄膜的形式聚合沉積到基材表面，工藝過程中將應(yīng)用到多種方式 (例如，使用短時、高能量的射頻脈沖、加電弧、通過離子或電子轟擊等)。

在熱蒸發(fā)沉積工藝中，用于生長薄膜的材料將被電加熱器加熱，直至其轉(zhuǎn)化為氣態(tài)。PVD方法譜系也包括分子束外延和離子束濺射鍍膜。上述方法產(chǎn)出的薄膜純度超高、均勻性極好，而且對基材的附著力極強。PVD鍍膜比傳統(tǒng)電化學工藝更為環(huán)保，可利用其作為替代傳統(tǒng)電化學工藝廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域。

濺射工藝是PVD(物理氣相沉積)薄膜技術(shù)的一種。待鍍膜材料(濺射靶材)被等離子態(tài)的離子轟擊，逸出粒子進入氣相態(tài)，沉積在基材表面并與之緊密粘結(jié)，形成一層超薄膜層。該工藝可在多種基材(金屬、合金、氧化物和氮化物)表面均勻鍍膜；可應(yīng)用到從半導體硅片到建筑玻璃等廣泛領(lǐng)域。 作為薄膜技術(shù)領(lǐng)域的常用鍍膜方法，濺射沉積工藝在數(shù)十年內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。匯成真空是濺射技術(shù)領(lǐng)域全球頂尖制造商，尤其在磁控管應(yīng)用領(lǐng)域成果卓著。我公司提供反應(yīng)和非反應(yīng)磁控濺射特殊專業(yè)技術(shù)，范圍涵蓋直流(DC)、脈沖直流(脈沖DC、單極和雙極)，以及中頻(MF)和高頻(HF)交流技術(shù)等。根據(jù)使用材料、相應(yīng)膜層特性和沉積速率不同，匯成真空設(shè)備將綜合應(yīng)用各種不同濺射技術(shù)。 匯成真空也自行生產(chǎn)濺射靶材，以確?？蛻臬@得成品膜層的最佳質(zhì)量體驗。若客戶所需鍍膜材料無法直接生產(chǎn)或通過單靶反應(yīng)生成，我們還可提供共濺射技術(shù)，即在同一沉積工藝中使用兩種或兩種以上不同靶材。對于研發(fā)型多功能設(shè)備而言，僅配備一套靶材的共焦排列磁控共濺射工藝是典型的極具吸引力的解決方案，因為它能夠極盡靈活地調(diào)整膜層成分。

熱蒸發(fā)沉積工藝支持在基材上制備銅、銀或金等金屬膜，或二氧化硅及氧化銦錫等其它材料的薄膜。該工藝也適用于有機半導體基材鍍膜。熱蒸發(fā)沉積工藝也被應(yīng)用于CIGS太陽能電池 (銅、銦、鎵、硒共蒸發(fā))以及有機太陽能電池(單體蒸發(fā))的生產(chǎn)。

熱蒸發(fā)沉積，與濺射沉積類似，也是一種PVD(物理氣相沉積)薄膜工藝。過程中，鍍料將被加熱，直至蒸發(fā)(液體)或升華(固體)，生成的氣相粒子將沉積在基材表面并生長為成品膜層。

熱蒸發(fā)與其它多數(shù)PVD工藝類似，均為高真空工藝，也可實現(xiàn)反應(yīng)式熱蒸發(fā)工藝：比如，通過向真空腔室內(nèi)通入離子化的氧氣可提升氧化銦錫的沉積性能。

與其它PVD薄膜工藝不同，熱蒸發(fā)能夠根據(jù)不同的蒸發(fā)材料和所需膜層性能，實現(xiàn)極高的沉積速率。為保證蒸發(fā)工藝參數(shù)最佳化，匯成真空可提供配備不同種類蒸發(fā)源的設(shè)備，比如坩堝或蒸發(fā)舟、線性鍍或噴鍍以及特種蒸發(fā)源等。

低溫20歐姆，膜層透過率>95%，薄膜方阻20±2Ω/□。 用于網(wǎng)格鍍膜設(shè)備結(jié)合特殊后處理技術(shù)可在基板溫度低于80度的前提下鍍制出電阻率接近高溫情況下生產(chǎn)的ITO薄膜，而不損傷到基板材料。該技術(shù)可用在多種不能在高溫狀態(tài)下生產(chǎn)的基板材料。

在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應(yīng)過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現(xiàn)成品膜層的制備，因此該技術(shù)降低了基材的溫度負荷。

等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。

另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設(shè)有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材，也允許激發(fā)混合工藝氣體的特定成分。然而，為保證化學反應(yīng)在被激活的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設(shè)計工藝過程。

“低溫CVD”工藝應(yīng)用范圍十分廣泛，匯成真空在該領(lǐng)域擁有多年經(jīng)驗。對于無法承受高溫的基材，PECVD工藝是極具吸引力的替代方案。例如，該工藝支持在塑料膜材上制備功能薄膜。

由于高溫下的擴散工藝可能會破壞摻雜剖面，所以PECVD鍍膜工藝被廣泛應(yīng)用到半導體領(lǐng)域中。此外，PECVD工藝也可用于制備微電子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多種復合材料。

匯成真空的PECVD設(shè)備可根據(jù)客戶需求專業(yè)定制并根據(jù)其預(yù)期工藝指標專業(yè)適配。我們也經(jīng)常在濺射設(shè)備內(nèi)配置PECVD工藝模塊，拓展技術(shù)能力。匯成真空極具競爭力的設(shè)備價格和最佳設(shè)備質(zhì)量一定會使您心動。

化學氣相沉積(CVD)是薄膜技術(shù)領(lǐng)域常用的成熟工藝。該工藝中，固體材料在氣相態(tài)下，通過化學反應(yīng)沉積到被加熱的基材表面，形成一層薄膜。匯成真空提供在電線和光纖等基材上沉積碳或氮化硅(SiC)材質(zhì)的CVD工藝特殊解決方案。

CVD鍍膜是高溫工藝，要求溫度在500°C及以上，且能量輸入極高。工藝腔室中的真空環(huán)境能夠降低熔點，并在保障前驅(qū)體物質(zhì)轉(zhuǎn)化為氣相態(tài)的同時，避免不必要的化學反應(yīng)。

與PVD工藝不同，化學氣相沉積允許復雜形狀及三維表面的膜層保形。該工藝也能夠在硅片表面制備極為精細的結(jié)構(gòu)。

要進行CVD鍍膜，前提是找到合適的前驅(qū)體，它能夠提供工藝腔室中所需膜層的全部成分。比如，氨氣和二氯硅烷被用作氮化硅沉積工藝的前驅(qū)體，氯化亞錫或有機錫化合物以及氧氣或水蒸汽作為前驅(qū)體，用于平面玻璃上沉積二氧化錫隔熱涂層。二氧化錫也可保護濾光系統(tǒng)中的玻璃件，避免因碰撞或機械應(yīng)力造成潛在損傷。

基材表面的狀態(tài)會影響膜層的生長，只有工藝設(shè)計合理，才能保障金屬材質(zhì)在基材表面特殊區(qū)域內(nèi)按預(yù)期生長；比如，只在導電區(qū)域而不在絕緣區(qū)域生長。在微電子領(lǐng)域，這種有選擇性的鍍膜讓CVD和PECVD工藝備受歡迎。

匯成真空的CVD設(shè)備根據(jù)不同客戶應(yīng)用范圍及相應(yīng)工藝指標提供個性化定制。我們經(jīng)常通過添加CVD/PECVD工藝模塊有效拓展濺射鍍膜技術(shù)性能。匯成真空以極具競爭力的產(chǎn)品價格向客戶提供卓越的產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)質(zhì)的用戶體驗和堅實的組件性能。