Atomic Layer Deposition Coater 原子層沉積（ALD）鍍膜機(jī)
原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是通過(guò)氣相前驅(qū)體及反應(yīng)物脈沖交替的通入反應(yīng)腔并在基底上發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的一種方法，通過(guò)自限制性的前驅(qū)體交替飽和反應(yīng)獲得厚度、組分、形貌及結(jié)構(gòu)在納米尺度上高度可控的薄膜。
ALD設(shè)備提供創(chuàng)新和靈活的設(shè)計(jì)，為MEMS和復(fù)雜的3D表面沉積高質(zhì)量的光學(xué)薄膜，顯著提高鍍膜產(chǎn)品的性能和使用壽命，設(shè)備運(yùn)行速度快、可靠性高且極易維護(hù)。
特點(diǎn)：
?熱法原子層沉積(TALD)和等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)可選
?批量鍍膜加工（基材尺寸：8"，10"，12"）
?低溫工藝，塑料基材可鍍
?3D表面鍍膜高保形性
?薄膜均勻、光滑、致密、無(wú)針孔
?膜厚精確控制
