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HCLAB系列

可定制的模塊化系統(tǒng)

Customizable modular system
真空應(yīng)用解決方案提供商
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Experimental roll to roll vacuum coating equipment 實(shí)驗(yàn)卷繞真空鍍膜設(shè)備

     HCLAB系列是基于模塊化,可擴(kuò)展和高度可定制平臺的卷繞鍍膜系統(tǒng),適用于各種基材和應(yīng)用,它專為從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)的所有過程和產(chǎn)品鑒定步驟而設(shè)計(jì),此外,它適用于柔性玻璃的涂層。

     HCLAB系列使用與我們的卷繞鍍膜系統(tǒng)相同的關(guān)鍵組件進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn),但是規(guī)模較小,因此,我們的客戶可以在實(shí)驗(yàn)室條件下測試其應(yīng)用,并在將其產(chǎn)品升級到批量生產(chǎn)時(shí)節(jié)省時(shí)間。

     HCLAB系列概念提供了多種繞線系統(tǒng)配置,此外,卷繞系統(tǒng)的輥?zhàn)硬糠挚梢灾匦屡渲?,以適應(yīng)新的需求并滿足。

     HCLAB系列設(shè)備是小型的模塊化卷繞鍍膜系統(tǒng),該系統(tǒng)是為實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室樣品到量產(chǎn),進(jìn)行工藝和產(chǎn)品認(rèn)證而專門設(shè)計(jì)的。此外,它還適用于給柔性玻璃鍍膜,設(shè)備雖以適用小規(guī)模生產(chǎn)為主,但也配備了與工業(yè)生產(chǎn)用卷繞鍍膜系統(tǒng)相同的核心組件。因此,我們的客戶可以在實(shí)驗(yàn)室條件下測試其應(yīng)用情況,然后再擴(kuò)大規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。


優(yōu)勢:

?獨(dú)特的可變工藝部分布置
?可配置的繞線系統(tǒng)
?許多升級選項(xiàng)
?經(jīng)過驗(yàn)證的技術(shù)組件,可有效地從實(shí)驗(yàn)室規(guī)模轉(zhuǎn)移到批量生產(chǎn)
?多室多腔體布局,工藝多樣性組合
?靈活的模塊化單元組合,降低擁有成本

Product Advantage.

產(chǎn)品特點(diǎn)
HCLAB系列實(shí)驗(yàn)卷繞真空鍍膜設(shè)備包括以下關(guān)鍵功能:
  • 客制化

    根據(jù)不同需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)

  • 創(chuàng)新

    獨(dú)特的可變工藝部分布置

  • 多用途

    研發(fā)或小規(guī)模生產(chǎn)

  • 可升級

    實(shí)驗(yàn)室規(guī)模高效轉(zhuǎn)移大規(guī)模生產(chǎn)

  • 靈活

    可靈活配置的不同繞線系統(tǒng)

  • 多工藝

    多樣化工藝可選

型號 HCLAB-300
寬幅(mm) Max.300
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉(zhuǎn)單磁控管 我們成熟的旋轉(zhuǎn)磁控管技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最高的目標(biāo)利用率和最佳的工藝穩(wěn)定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術(shù)。
RDM可旋轉(zhuǎn)雙磁控管 雙旋轉(zhuǎn)裝置可用于使用兩個(gè)部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標(biāo)準(zhǔn)單磁控管 可靠、標(biāo)準(zhǔn)的單平面磁控管適用于各種可能的目標(biāo)材料,用于研發(fā)和試產(chǎn)。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數(shù)達(dá)到可靠的1:100。
預(yù)處理輝光放電裝置 預(yù)處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數(shù),例如附著力。
PECVD,熱蒸發(fā) 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發(fā)。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩(wěn)定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負(fù)荷
工業(yè) 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經(jīng)驗(yàn)證的無功濺射控制系統(tǒng)
數(shù)據(jù)分析 工藝數(shù)據(jù)和回顧性趨勢分析的最新工藝數(shù)據(jù)庫
型號 HCLAB-600
寬幅(mm) Max.600
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉(zhuǎn)單磁控管 我們成熟的旋轉(zhuǎn)磁控管技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最高的目標(biāo)利用率和最佳的工藝穩(wěn)定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術(shù)。
RDM可旋轉(zhuǎn)雙磁控管 雙旋轉(zhuǎn)裝置可用于使用兩個(gè)部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標(biāo)準(zhǔn)單磁控管 可靠、標(biāo)準(zhǔn)的單平面磁控管適用于各種可能的目標(biāo)材料,用于研發(fā)和試產(chǎn)。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數(shù)達(dá)到可靠的1:100。
預(yù)處理輝光放電裝置 預(yù)處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數(shù),例如附著力。
PECVD,熱蒸發(fā) 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發(fā)。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩(wěn)定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負(fù)荷
工業(yè) 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經(jīng)驗(yàn)證的無功濺射控制系統(tǒng)
數(shù)據(jù)分析 工藝數(shù)據(jù)和回顧性趨勢分析的最新工藝數(shù)據(jù)庫
型號 HCLAB-900
寬幅(mm) Max.900
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉(zhuǎn)單磁控管 我們成熟的旋轉(zhuǎn)磁控管技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最高的目標(biāo)利用率和最佳的工藝穩(wěn)定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術(shù)。
RDM可旋轉(zhuǎn)雙磁控管 雙旋轉(zhuǎn)裝置可用于使用兩個(gè)部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標(biāo)準(zhǔn)單磁控管 可靠、標(biāo)準(zhǔn)的單平面磁控管適用于各種可能的目標(biāo)材料,用于研發(fā)和試產(chǎn)。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數(shù)達(dá)到可靠的1:100。
預(yù)處理輝光放電裝置 預(yù)處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數(shù),例如附著力。
PECVD,熱蒸發(fā) 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發(fā)。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩(wěn)定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負(fù)荷
工業(yè) 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經(jīng)驗(yàn)證的無功濺射控制系統(tǒng)
數(shù)據(jù)分析 工藝數(shù)據(jù)和回顧性趨勢分析的最新工藝數(shù)據(jù)庫
型號 HCLAB-1200
寬幅(mm) Max.1200
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉(zhuǎn)單磁控管 我們成熟的旋轉(zhuǎn)磁控管技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最高的目標(biāo)利用率和最佳的工藝穩(wěn)定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術(shù)。
RDM可旋轉(zhuǎn)雙磁控管 雙旋轉(zhuǎn)裝置可用于使用兩個(gè)部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標(biāo)準(zhǔn)單磁控管 可靠、標(biāo)準(zhǔn)的單平面磁控管適用于各種可能的目標(biāo)材料,用于研發(fā)和試產(chǎn)。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數(shù)達(dá)到可靠的1:100。
預(yù)處理輝光放電裝置 預(yù)處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數(shù),例如附著力。
PECVD,熱蒸發(fā) 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發(fā)。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩(wěn)定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負(fù)荷
工業(yè) 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經(jīng)驗(yàn)證的無功濺射控制系統(tǒng)
數(shù)據(jù)分析 工藝數(shù)據(jù)和回顧性趨勢分析的最新工藝數(shù)據(jù)庫
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